Транзистор JT050N065WED TO247 650V 50A
100 ₴
- Нет в наличии
- Код: JT050N065WED
Транзистор JT050N065WED TO247 650V 50A
Транзистор JT050N065WED
📷 ⬆️ Фото/схема типового корпуса — ориентир по посадке и внешнему виду.
📑 Короткий datasheet (дополнение к описанию):
- 📌 Тип: IGBT
- 📌 Маркування (PN): JT050N065WED
- 📌 Напруга: 650 V
- 📌 Струм: 50 A
- 📌 Корпус: TO-247
- 📌 Pd: , W
Корпус: TO247
✨ Полезные уточнения:
- 🛠️ Для ремонта инверторов, ИБП, зарядных модулей
- ⚙️ Сверяйте PN и корпус перед заменой
📏 Габариты отправления:
- Ш×В×Д: 5×2×8 см
- Вес: 0.02 кг
Наименование: JT050N065WED
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 437
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 100
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 283
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 121
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd | , W |
| Вес | 0.02 г |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування (PN) | JT050N065WED |
| Напряжение | 650 V |
| Ток | 50 A |
| Тип | IGBT |
- Цена: 100 ₴