Транзистор G40T65AN5H CRG40T65AN5H Корпус: TO-3P Виробник: CRMICRO

Транзистор CRG40T65AN5H

📷 ⬆️ Фото/схема типового корпуса — ориентир по посадке и внешнему виду.

Корпус: TO-3P
Виробник: CRMICRO 💡 Перед установкой сверьте цоколёвку и теплоотвод.

📑 Короткий datasheet (дополнение к описанию):

• 📌 Тип: IGBT
• 📌 Маркування (PN): G40T65AN5H
• 📌 Аналоги / PN2: CRG40T65AN5H, G40T60AN3H
• 📌 Напруга: 650 V
• 📌 Струм: 80 A
• 📌 Корпус: TO-3P
• 📌 Виробник: CRMICRO
• 📌 Pd: 250 W
• 📌 Qg: 97 nC

Наименование: CRG40T65AN5H
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G40T65AN5H
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 119 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 97 nC
 

✨ Полезные уточнения:

• 🛠️ Для ремонта инверторов, ИБП, зарядных модулей
• ⚙️ Сверяйте PN и корпус перед заменой

📏 Габариты отправления:

• Ш×В×Д: 5×2×8 см
• Вес: 0.02 кг

Замена для G40T60AN3H G40T60AK3H G40T60AK3SD G50T60AN3H G50T60AK3H G50T60AK3SD G60T60AN3H G60T60AK3H G60T60AK3SD G40T60AK3HD G50T60AK3HD G60T60AK3HD G75T60AN3H G75T60AK3H G75T60AK3SD